本发明公开了一种N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、N型硅太阳能电池及其制作方法。该制作方法包括:S1、在沉积有减反射膜的硅片衬底背面的预定位置上开槽,以形成磷扩散槽区;以及S2、在具有磷扩散槽区的所述硅片衬底背面上进行磷扩散,以使磷扩散槽区内形成重掺杂,...
一种UV环保型硅太阳能电池背场铝浆的制备方法,步骤如下:(1)制备无机粘合剂:将SiO22~3%,B2O315~30%,Al2O31~3%,Bi2O340~60%,P2O53~5%和ZnO10~20%混合均匀,干燥后熔炼;(2)制备有机粘合剂:将高分子改性聚合体50~65%、UV反应单体15~35%、活性稀释体10~20%、稳定剂0...
本发明公开了一种N型硅太阳能电池的双面扩散工艺,包括以下步骤:1)背光面硼吸杂;2)硼硅玻璃去除;3)硅片受光面硼扩散形成发射极。采用本发明提供的N型硅太阳能电池的双面扩散工艺简单易行,且可改善N型硅太阳能电池的电性能。 专利类型:发明 专利号:201310607594.8...