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一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 CN201910203642.4

本发明为一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池组件包括衬底、透明导电层、电池活性层和背电极,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池组件包括垂直穿过所述透明导电层的第一沟道;垂直穿过所述电池活性层的第二沟道;和垂直穿过所述背电极和所述电池活性...

/faming/24856.html 类别: 发明专利 日期: 2020-09-30
一种钝化接触太阳能电池的制备方法 CN202010554934.5

本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。该制备方法包括:对晶体硅基体进行预处理,以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层;对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描,使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化,形成正面...

/faming/24854.html 类别: 发明专利 日期: 2020-09-30
一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法 CN202010273749.9

本申请公开了一种去绕镀方法,包括获得正面形成有BSG层的硅片;在硅片的背面形成氧化层;在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层,并对多晶硅层进行磷扩散形成PSG层,且PSG层的厚度取值范围为30nm至50nm,包括端点值;利用氢氟酸溶液去除正面绕镀,并利用氢氧化钾溶液去除正面...

/faming/24834.html 类别: 发明专利 日期: 2020-07-30
量子点修饰二氧化钛基光阳极、太阳能电池及制备方法 CN202010092465.X

本发明涉及一种量子点修饰二氧化钛基光阳极。该光阳极包括衬底和在所述衬底上依次设置的金属层、第一二氧化钛层、有机化合物层、量子点层和第二二氧化钛层。第一二氧化钛层和量子点层通过包含有羧基和巯基的有机化合物层的作用稳定结合在一起,还有助于提升量子点的覆盖率,...

/faming/24829.html 类别: 发明专利 日期: 2020-06-30
一种双结叠层太阳能电池及其制备方法 CN201811573631.7

本发明涉及一种双结叠层太阳能电池及其制备方法,所述电池包括层叠设置的晶硅电池和硫硒化锑电池,所述硫硒化锑电池中设有硫硒化锑吸光层和缓冲层;制备所述硫硒化锑吸光层的材料Sb2(SexS1x)3中,0x0.5;所述缓冲层的材料为Zn(O,S,OH)X、CdS、ZnO或(Zn,Mg)O中的一种或几种。...

/faming/24828.html 类别: 发明专利 日期: 2020-06-30
一种高稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN202010175894.3

本发明公开了一种高稳定钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于光伏器件技术领域,包括以下步骤:制备TiO2致密层;将钙钛矿前驱溶液旋涂在S1制得的TiO2致密层上,之后退火,制得钙钛矿薄膜;钙钛矿前驱溶液具体是在MAPbI3xClx前驱溶液中加入氨三乙酸;制备SpiroOMeTAD空穴传输...

/faming/24822.html 类别: 发明专利 日期: 2020-06-30
一种选择性发射极双面PERC太阳能电池的制备方法 202010324525.6

本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种选择性发射极双面PERC太阳能电池的制备方法。所述制备方法中采用碱抛光技术进行边缘刻蚀、去PSG;其中,碱抛光技术中使用的碱液为有机碱和无机碱的混合溶液。得到的太阳能电池具有较好的电性能,较高的光电转换效率,并且绿色环...

/faming/24821.html 类别: 发明专利 日期: 2020-06-30
多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法 CN201811399887.0

本发明涉及太阳能光伏电池领域,具体为一种多孔单晶嵌套型全氧化物太阳能电池的制备方法。利用模板辅助方法在透明导电基体上制备n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜,通过高温晶化、扩孔等一系列处理后,利用电化学沉积方法在n型(或p型)氧化物多孔单晶阵列薄膜基底上沉积p型(...

/faming/24817.html 类别: 发明专利 日期: 2020-05-30
一种太阳能电池硅片自动倒片方法 CN202010016097.0

本发明公开了一种太阳能电池硅片自动倒片方法,可以实现AGV的电池片花篮对接,可以对接两台AGV,在每两道之间进行下进上出的自动传送,龙门抓手抓取下层花篮并提升到高度,花篮旋转到位,放到模组定位机构上,再输送到龙门抓手下,固定板将硅片取放到金属舟中,并根据工艺需...

/faming/24807.html 类别: 发明专利 日期: 2020-04-30
一种减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法 CN202010040515.X

本发明公开一种减少绕镀和色差的PERC太阳能电池制作方法,包括制绒、扩散、正面激光、刻蚀、退火、背面沉积钝化膜、正面沉积减反膜、背面激光、丝网印刷和烧结步骤,所述背面沉积钝化膜步骤在硅片背面依次沉积背面氧化铝膜、背面氧化硅膜、第一层背面氮化硅膜,在所述正面沉...

/faming/24806.html 类别: 发明专利 日期: 2020-04-30
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